Метод гидрохимического осаждения пленок халькогенидов металлов в последние годы завоевывает все более прочные позиции в тонкопленочном полупроводниковом материаловедении, учитывая его простоту технологического оформления и эффективность функциональных свойств получаемых материалов. В работе будут последовательно рассмотрены вопросы прогнозирования условий образования индивидуальных фаз и твердых растворов замещения халькогенидов металлов при химическом осаждении, методики синтеза тонких пленок различных материалов, таких как сульфид свинца, сульфид цинка и сульфид индия, проведены занятия по определению их толщины и изучению микроструктуры.